No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán autorizar el uso de las mismas.
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Descripción:
Trans Prebias NPN 50V 0,8A SMINI
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
Las demás:
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - Transición:
300 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
250 mV @ 2mA, 50 mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
S-mini
Resistencia - Base (R1):
kOhms 1
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Resistencia - Base del emisor (R2):
kOhms 1
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
200 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
60 @ 100mA, 1V
Número del producto de base:
No incluidos en la lista
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - Pre-biasado 50 V 800 mA 300 MHz 200 mW Monte de superficie S-Mini
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
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Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: