MAGX-002731-180L00
![calidad [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Descripción:
HEMT 180W 2.7-3.1GHZ del RF GAN de los FETS
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
-
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Soluciones tecnológicas MACOM
Frecuencia:
2Se trata de un sistema de transmisión por radio.
Ganancias:
11.2 dB
Envase / estuche:
-
Actual - prueba:
500 mA
Potencia - Producción:
180 W
Tecnología:
HEMT
Clasificación de corriente (amperios):
500 mA
Introducción
RF Mosfet 50 V 500 mA 2,7 GHz ~ 3,1 GHz 11,2 dB 180 W
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: