Se aplicará el método de clasificación de los productos.
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Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Voltado nominal:
4 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura del ruido:
0.7dB
Paquete de dispositivos del proveedor:
S03 y S02
Voltaje - prueba:
2 V
El Sr.:
El CEL
Frecuencia:
20GHz
Ganancias:
13.5dB
Envase / estuche:
4-SMD, conductores planos
Actual - prueba:
10 mA
Potencia - Producción:
-
Tecnología:
GaAs HJ-FET
Clasificación de corriente (amperios):
15 mA
Introducción
RF Mosfet 2 V 10 mA 20 GHz 13,5 dB S03
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: