Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.
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Descripción:
Transmisión de energía eléctrica
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
250 mV @ 5mA, 10mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-723
Resistencia - Base (R1):
kOhms 1
El Sr.:
En el caso de las
Resistencia - Base del emisor (R2):
kOhms 1
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
260 mW
Envase / estuche:
SOT-723
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
3 @ 5mA, 10V
Número del producto de base:
Los datos de las pruebas de seguridad
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - 50 V 100 mA 260 mW de montaje de superficie pre-biasado SOT-723
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: