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Descripción:
Se trata de un sistema de transmisión de radio de alta frecuencia.
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
la bandeja
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un proyecto de investigación.
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Ampleon USA Inc.
Frecuencia:
1.81 GHz ~ 1.88 GHz
Ganancias:
15.4 dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación.
Actual - prueba:
1,1 A
Potencia - Producción:
580W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
BLC9
Introducción
Mosfet de RF 28 V 1,1 A 1,81 GHz ~ 1,88 GHz 15,4 dB 580 W SOT-1258-7
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: