DTD513ZE3TL
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Descripción:
NPN, SOT-416, R1R2 Absorción de fugas
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
500 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN - Diodo prefijado
Frecuencia - Transición:
260 megaciclos
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
300mV @ 5mA, 100mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
12 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
EMT3
Resistencia - Base (R1):
kOhms 1
El Sr.:
Semiconductor de Rohm
Resistencia - Base del emisor (R2):
10 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
150 mW
Envase / estuche:
SC-75, SOT-416
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones
Número del producto de base:
DTD513
Introducción
Transistores bipolares (BJT) pre-biasados NPN - Pre-biasados + diodo 12 V 500 mA 260 MHz 150 mW Montado de superficie EMT3
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
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Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: