Se aplicará el método de evaluación de la calidad.
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Descripción:
MOSFET de RF LDMOS 50V NI-650H-4L
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Configuración:
- ¿Qué quieres decir?
Voltado nominal:
133 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El NI-650H-4L
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Estados Unidos Inc.
Frecuencia:
1.8MHz ~ 1.215GHz
Ganancias:
25.6dB
Envase / estuche:
El NI-650H-4L
Actual - prueba:
100 MA
Potencia - Producción:
85W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
7µA
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Introducción
Mosfeto de RF 50 V 100 mA 1,8 MHz ~ 1,215 GHz 25,6 dB 85 W NI-650H-4L
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: