NPT35050AB: las condiciones de los productos
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Descripción:
HEMT N-CH 28V 65W 3300-3800MHZ
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Voltado nominal:
Las demás:
Paquete:
la bandeja
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
-
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Soluciones tecnológicas MACOM
Frecuencia:
3.3 GHz ~ 3.8 GHz
Ganancias:
12 dB
Envase / estuche:
-
Actual - prueba:
750 mA
Potencia - Producción:
6W
Tecnología:
HEMT
Clasificación de corriente (amperios):
19.5A
Introducción
Mosfet de RF 28 V 750 mA 3,3 GHz ~ 3,8 GHz 12 dB 6 W
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: