MHT1108NT1 y otros
![calidad [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Descripción:
La potencia de RF de los transistores LDMOS para CO
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las condiciones de los vehículos de las categorías A y B se determinarán en función de las condicion
Voltaje - prueba:
32 V
El Sr.:
Estados Unidos Inc.
Frecuencia:
2.45GHz
Ganancias:
18.6dB
Envase / estuche:
Almohadilla expuesta 16-VDFN
Actual - prueba:
110 mA
Potencia - Producción:
12.5W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
10µA
Número del producto de base:
MHT11
Introducción
Mosfet de RF 32 V 110 mA 2,45 GHz 18,6 dB 12,5 W 16-DFN (4x6)
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: