Se aplicará el procedimiento siguiente:
Descripción:
La potencia de la corriente de corriente es de 250 W 28/32 V
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado nominal:
90 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El LBB
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
STMicroelectrónica
Frecuencia:
1 GHz
Ganancias:
18dB
Envase / estuche:
El LBB
Actual - prueba:
100 MA
Potencia - Producción:
250 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
1µA
Introducción
Mosfet RF 28 V 100 mA 1 GHz 18 dB 250 W LBB
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: