Se aplicará el procedimiento de selección de los productos.
Descripción:
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
la bandeja
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
H33288-2
Voltaje - prueba:
30 V
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia:
1.5 GHz
Ganancias:
16.5 dB
Envase / estuche:
H33288-2
Actual - prueba:
2 A
Potencia - Producción:
240 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
10µA
Introducción
RF Mosfet 30 V 2 A 1.5GHz 16.5 dB 240W H-33288-2
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: