BLC8G27LS-210PVY
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Descripción:
FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 del RF
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-DFM
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Ampleon USA Inc.
Frecuencia:
2Se trata de un sistema de transmisión de datos.
Ganancias:
17 dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de ley de la Unión Europea.
Actual - prueba:
1.73 A
Potencia - Producción:
65 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
BLC8
Introducción
Mosfet de RF 28 V 1,73 A 2,6 GHz ~ 2,7 GHz 17 dB 65 W 8-DFM
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: