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Descripción:
Trans Prebias PNP 125 MW SSMINI3
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de transistor:
PNP - Prejuiciado
Frecuencia - Transición:
80 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán de acuerdo con el méto
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Resistencia - Base (R1):
2,2 kOhms
El Sr.:
Componentes electrónicos de Panasonic
Resistencia - Base del emisor (R2):
47 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
125 mW
Envase / estuche:
SC-89, SOT-490
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Número del producto de base:
El número de la UNR911
Introducción
Transistores bipolares (BJT) pre-biasados PNP - Pre-biasados 50 V 100 mA 80 MHz 125 mW Montado de superficie SSMini3-F1
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
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Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: