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Descripción:
El número de unidades de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
la bandeja
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el código ISO/IEC 17046.
Voltaje - prueba:
32 V
El Sr.:
Ampleon USA Inc.
Frecuencia:
1Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernad
Ganancias:
16.1 dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación.
Actual - prueba:
750 mA
Potencia - Producción:
550 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
2.8 μA
Número del producto de base:
BLC10
Introducción
Mosfet de RF 32 V 750 mA 1,805 GHz ~ 1,88 GHz 16,1 dB 550 W SOT1258-4
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: