Se aplicará el procedimiento siguiente:
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Descatalogado en Digi-Key
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
108,0 V
Paquete:
la bandeja
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el código ISO/IEC 17046.
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Ampleon USA Inc.
Frecuencia:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernade
Ganancias:
21.5 dB
Envase / estuche:
Se trata de un documento de expediente de la Comisión.
Actual - prueba:
50 mA
Potencia - Producción:
750 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
2.8 μA
Número del producto de base:
No obstante lo dispuesto en el apartado 1,
Introducción
Mosfeto de RF 50 V 50 mA 902 MHz ~ 928 MHz 21,5 dB 750 W SOT539B
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: