Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.
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Descripción:
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
la bandeja
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
H-36248-2
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia:
1.88GHz
Ganancias:
16.5 dB
Envase / estuche:
2 bolsas planas con plumas de aleta
Actual - prueba:
750 mA
Potencia - Producción:
100 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
1µA
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Introducción
Mosfet de RF 28 V 750 mA 1,88 GHz 16,5 dB 100 W H-36248-2
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: