DTC114ECA
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Descripción:
Transistores de energía de alta tensión
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN - Diodo prefijado
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
250 MHz
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán de acuerdo con el méto
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23
Resistencia - Base (R1):
10 kOhms
El Sr.:
Tecnología Yangjie
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
246 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
35 @ 5mA, 10V
Número del producto de base:
DTC114
Introducción
Transistores bipolares (BJT) pre-biasados NPN - pre-biasados + diodo 50 V 100 mA 250 MHz 246 mW Montado de superficie SOT-23
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: