DTA115EKAT146
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Descripción:
Trans Prebias PNP 200 MW SMT3
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
20 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
PNP - Prejuiciado
Frecuencia - Transición:
250 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán en función de las emis
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TEM3
Resistencia - Base (R1):
100 kOhms
El Sr.:
Semiconductor de Rohm
Resistencia - Base del emisor (R2):
100 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
200 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Número del producto de base:
DTA115
Introducción
Transistores bipolares (BJT) pre-biasados PNP - Pre-biasados 50 V 20 mA 250 MHz 200 mW Montaje de superficie SMT3
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: