El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Descripción:
400W GAN HEMT 50V FET de 0,9-1,2 GHz
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
Las demás:
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
Gan, ¿ qué haces?
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
H-37265J-2
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Wolfspeed, Inc.
Frecuencia:
960 MHz ~ 1,215 GHz
Ganancias:
19.5 dB
Envase / estuche:
H-37265J-2
Actual - prueba:
100 MA
Potencia - Producción:
400 W
Tecnología:
HEMT
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
GTVA104001
Introducción
Mosfeto de RF 50 V 100 mA 960 MHz ~ 1,215 GHz 19,5 dB 400 W H-37265J-2
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: