Se aplicará el método de ensayo de la norma de la norma de la norma de la norma de la norma de la norma de la norma.
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Descripción:
Trans Prebias PNP 250 MW SOT323-3
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estado del producto:
La última vez que compré
Tipo de transistor:
PNP - Prejuiciado
Frecuencia - Transición:
200 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
PG-SOT323
Resistencia - Base (R1):
22 kOhms
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Resistencia - Base del emisor (R2):
47 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
100nA (ICBO)
Potencia - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas.
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
70 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
BCR192
Introducción
Transistores bipolares (BJT) pre-biasados PNP - Pre-biasados 50 V 100 mA 200 MHz 250 mW Montaje de superficie PG-SOT323
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
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Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: