No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán autorizar el uso de las mismas.
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Descripción:
Auto AEC-Q NPN único Q1BSR=4.7K
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - Transición:
250 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán en función de las emis
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
S-mini
Resistencia - Base (R1):
4,7 kiloohmios
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Resistencia - Base del emisor (R2):
10 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
200 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
50 @ 10mA, 5V
Número del producto de base:
No incluidos en la lista
Introducción
Transistores bipolares pre-biasados (BJT) NPN - Pre-biasados 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW S-Mini montado en la superficie
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: