DTB743ZMT2L
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
200 mA
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de transistor:
PNP - Prejuiciado
Frecuencia - Transición:
260 megaciclos
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
30 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
VMT3
Resistencia - Base (R1):
4,7 kiloohmios
El Sr.:
Semiconductor de Rohm
Resistencia - Base del emisor (R2):
47 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
150 mW
Envase / estuche:
SOT-723
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones
Número del producto de base:
DTB743
Introducción
Transistores bipolares (BJT) pre-biasados PNP - Pre-biasados 30 V 200 mA 260 MHz 150 mW VMT3 de montaje de superficie
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: