BLF6G21-10G, 135
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Descripción:
FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A del RF
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
2-CSMD
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Ampleon USA Inc.
Frecuencia:
2.11 GHz ~ 2.17 GHz
Ganancias:
18.5dB
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Actual - prueba:
100 MA
Potencia - Producción:
700mW
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
-
Introducción
Mosfet de RF 28 V 100 mA 2,11 GHz ~ 2,17 GHz 18,5 dB 700 mW 2-CSMD
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: