El número de personas afectadas
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Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Configuración:
N-canal
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
la bandeja
Serie:
TMOS®
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
305A-01, estilo 2
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Soluciones tecnológicas MACOM
Frecuencia:
500 MHz
Ganancias:
18dB
Envase / estuche:
Las demás partidas
Actual - prueba:
25 mA
Potencia - Producción:
2W
Tecnología:
MOSFET
Clasificación de corriente (amperios):
500 mA
Introducción
RF Mosfet 28 V 25 mA 500MHz 18dB 2W 305A-01, estilo 2
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: