CGHV38375F: las condiciones de los productos
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Descripción:
400W 50V GAN HEMT, 2,75-3,75 GHz
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Configuración:
-
Voltado nominal:
Las demás:
Paquete:
la bandeja
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
440226
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Wolfspeed, Inc.
Frecuencia:
2.75 GHz ~ 3.75 GHz
Ganancias:
12.5 dB
Envase / estuche:
440226
Actual - prueba:
500 mA
Potencia - Producción:
400 W
Tecnología:
Gan, ¿ qué haces?
Clasificación de corriente (amperios):
-
Introducción
Mosfet de RF 50 V 500 mA 2,75 GHz ~ 3,75 GHz 12,5 dB 400 W 440226
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: