DTC114ESATP: las condiciones de los servicios de seguridad
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
50 mA
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - Transición:
250 MHz
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
Cintas y cajas (TB)
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SPT
Resistencia - Base (R1):
10 kOhms
El Sr.:
Semiconductor de Rohm
Resistencia - Base del emisor (R2):
10 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
SC-72 Plomo formado
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
DTC114
Introducción
Transistores bipolares prebiasados (BJT) NPN - Prebiasados 50 V 50 mA 250 MHz 300 mW a través del agujero SPT
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
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Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: