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Descripción:
Transmisión de energía eléctrica
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
250 mV @ 5mA, 10mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-723
Resistencia - Base (R1):
2,2 kOhms
El Sr.:
En el caso de las
Resistencia - Base del emisor (R2):
2,2 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
260 mW
Envase / estuche:
SOT-723
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
8 @ 5mA, 10V
Número del producto de base:
En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones:
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - 50 V 100 mA 260 mW de montaje de superficie pre-biasado SOT-723
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: