PDTA123YMB,315
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Descripción:
Trans Prebias PNP 250 MW 3DFN
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
PNP - Prejuiciado
Frecuencia - Transición:
180 megaciclos
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
Automotriz, AEC-Q100
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
DFN1006B-3
Resistencia - Base (R1):
2,2 kOhms
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Resistencia - Base del emisor (R2):
10 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
1µA
Potencia - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
3-XFDFN
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el siguiente:
Número del producto de base:
PDTA123
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) PNP - Pre-biasado 50 V 100 mA 180 MHz 250 mW Monte de superficie DFN1006B-3
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: