Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de lo
![calidad [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Descripción:
Se aplicará el método IGBT MOD 650V 117A 300W.
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
117 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
la bandeja
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 100A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
650 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C
Corriente - límite del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
Parada en el campo de trincheras
Potencia - máximo:
300 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
6.2 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres fases
El termistor NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
F3L100
Introducción
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 650 V 117 A 300 W Modulo de montaje del chasis
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: