FP7G75US60
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Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
75 A
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
El tubo
Serie:
Poder-SPM™
Envase / estuche:
El EPM7
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.8V @ 15V, 75A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
El EPM7
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C (TJ)
Corriente - límite del colector (máximo):
250 μA
Tipo de IGBT:
-
Potencia - máximo:
310 w
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
4.515 nF @ 30 V
Configuración:
Medio puente
El termistor NTC:
No
Número del producto de base:
FP7G75
Introducción
Modulo IGBT Puente medio 600 V 75 A 310 W Montura del chasis EPM7
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: