El número de registro de la empresa
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Descripción:
Trans Prebias NPN 300 MW NS-B1
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
500 mA
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - Transición:
200 MHz
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
250 mV @ 5mA, 100 mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de la NS-B1
Resistencia - Base (R1):
10 kOhms
El Sr.:
Componentes electrónicos de Panasonic
Resistencia - Base del emisor (R2):
10 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
1µA
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
3-SIP
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
60 @ 100mA, 10V
Número del producto de base:
El número de la UNR422
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - Pre-biasado 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW a través del agujero NS-B1
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: