Se aplicará el método de ensayo.
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Descripción:
FET RF 66V 1,99 GHz NI780S
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado nominal:
66 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El NI-780S
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Estados Unidos Inc.
Frecuencia:
1.93 GHz ~ 1.99 GHz
Ganancias:
17.9 dB
Envase / estuche:
El NI-780S
Actual - prueba:
1,6 A
Potencia - Producción:
56W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
Sección 6
Introducción
Mosfet de RF 28 V 1,6 A 1,93 GHz ~ 1,99 GHz 17,9 dB 56 W NI-780S
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: