TAV2-14LN+
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Descripción:
MOSFET de RF E-PHEMT 4V
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
5 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Figura del ruido:
2.5 dB
Paquete de dispositivos del proveedor:
-
Voltaje - prueba:
4 V
El Sr.:
Los demás componentes
Frecuencia:
50 MHz ~ 10 GHz
Ganancias:
23.4 dB
Envase / estuche:
Pad expuesto de 6-TDFN
Actual - prueba:
4 mA
Potencia - Producción:
19.4 dBm
Tecnología:
E-pHEMT
Clasificación de corriente (amperios):
2µA
Número del producto de base:
TAV2
Introducción
RF Mosfet 4 V 4 mA 50MHz ~ 10GHz 23.4 dB 19.4 dBm
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: