Se aplicará el método de clasificación de los productos.
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Descripción:
FET RF 4V 12 GHz M04 4SMD
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Configuración:
N-canal
Voltado nominal:
4 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura del ruido:
0.65 dB
Paquete de dispositivos del proveedor:
4- Super Mini Molde
Voltaje - prueba:
2 V
El Sr.:
El CEL
Frecuencia:
12GHz
Ganancias:
13dB
Envase / estuche:
4-SMD, conductores planos
Actual - prueba:
10 mA
Potencia - Producción:
125 mW
Tecnología:
GaAs HJ-FET
Clasificación de corriente (amperios):
60mA
Introducción
RF Mosfet 2 V 10 mA 12 GHz 13 dB 125 mW 4-Super Mini molde
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: