Se aplicará el procedimiento siguiente:
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Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Voltado nominal:
40 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
PowerSO-10RF (ventaja formada)
Voltaje - prueba:
13,6 V
El Sr.:
STMicroelectrónica
Frecuencia:
2GHz
Ganancias:
11 dB
Envase / estuche:
PowerSO-10RF expuso el cojín inferior (2 ventajas formadas)
Actual - prueba:
150 mA
Potencia - Producción:
10 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
5A
Número del producto de base:
PD20010
Introducción
RF Mosfet 13.6 V 150 mA 2GHz 11dB 10W PotenciaSO-10RF (plomo formado)
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: