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Descripción:
MOSFET de RF LDMOS 28V SOT1271-3
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
la bandeja
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el código ISO/IEC 17046.
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Ampleon USA Inc.
Frecuencia:
2.11 GHz ~ 2.2 GHz
Ganancias:
18.4 dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación.
Actual - prueba:
864 mA
Potencia - Producción:
35 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
2.8 μA
Número del producto de base:
BLC9
Introducción
Mosfet de RF 28 V 864 mA 2,11 GHz ~ 2,2 GHz 18,4 dB 35 W SOT1271-2
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: