DTC115EUBTL
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Descripción:
NPN, SOT-323FL, R1=R2 POTENCIAL, el cual es el valor de la potencia de la sustancia
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - Transición:
250 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán en función de las emis
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de gestión de datos.
Resistencia - Base (R1):
100 kOhms
El Sr.:
Semiconductor de Rohm
Resistencia - Base del emisor (R2):
100 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
200 mW
Envase / estuche:
Las demás:
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Número del producto de base:
DTC115
Introducción
Transistores bipolares (BJT) NPN - 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW de montaje de superficie pre-biasado UMT3F
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: