PDTC123YS,126
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Descripción:
Trans Prebias NPN 500 MW TO92-3
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
Cintas y cajas (TB)
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Resistencia - Base (R1):
2,2 kOhms
El Sr.:
Estados Unidos Inc.
Resistencia - Base del emisor (R2):
10 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
1µA
Potencia - máximo:
500 mW
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el siguiente:
Número del producto de base:
PDTC123 y
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - Pre-biasado 50 V 100 mA 500 mW a través del agujero TO-92-3
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: