A3G18H500-04SR3 y sus componentes
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Descripción:
MOSFET de RF LDMOS 48V NI-780S-4L
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
Las demás:
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Configuración:
- ¿Qué quieres decir?
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El NI-780S-4L
Voltaje - prueba:
Las demás:
El Sr.:
Estados Unidos Inc.
Frecuencia:
1Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernad
Ganancias:
15.4 dB
Envase / estuche:
El NI-780S-4L
Actual - prueba:
200 mA
Potencia - Producción:
10 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
A3G18
Introducción
Mosfet de RF 48 V 200 mA 1,805 GHz ~ 1,88 GHz 15,4 dB 107 W NI-780S-4L
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: