DTC114TSATP: el sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Descripción:
Trans Prebias NPN 300 MW SPT
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Tipo de montaje:
A través del agujero
Frecuencia - Transición:
250 MHz
Paquete:
Cintas y cajas (TB)
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
300mV @ 1mA, 10mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SPT
Resistencia - Base (R1):
10 kOhms
El Sr.:
Semiconductor de Rohm
Corriente - límite del colector (máximo):
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
SC-72 Plomo formado
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Número del producto de base:
DTC114
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - Pre-biasado 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW a través del agujero SPT
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
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Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: