BLF7G22L-250P, 118
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Descripción:
FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A del RF
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Configuración:
Fuente doble y común
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el código SOT539A.
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Ampleon USA Inc.
Frecuencia:
2.11 GHz ~ 2.17 GHz
Ganancias:
18.5dB
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Actual - prueba:
1,9 A
Potencia - Producción:
70W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
Las demás:
Número del producto de base:
Se trata de un proyecto de investigación.
Introducción
Mosfet de RF 28 V 1,9 A 2,11 GHz ~ 2,17 GHz 18,5 dB 70 W SOT539A
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: