Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
![calidad [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Descripción:
Trans Prebias NPN 0,425 W
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
500 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - Transición:
225 megaciclos
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles de los c
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Resistencia - Base (R1):
4,7 kiloohmios
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Resistencia - Base del emisor (R2):
4,7 kiloohmios
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
320 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
60 @ 50mA, 5V
Número del producto de base:
PDTD143
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - Pre-biasado 50 V 500 mA 225 MHz 320 mW Monte de superficie TO-236AB
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: