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Descripción:
MOSFET de RF LDMOS 28V SOT1270-1
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
la bandeja
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un proyecto de investigación de la Comisión.
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Ampleon USA Inc.
Frecuencia:
425 MHz ~ 450 MHz
Ganancias:
19.5 dB
Envase / estuche:
Se trata de un proyecto de investigación de la Comisión.
Actual - prueba:
350 mA
Potencia - Producción:
200 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
4.2 μA
Introducción
Mosfeto de RF 28 V 350 mA 425 MHz ~ 450 MHz 19,5 dB 200 W SOT-1270-1
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: