Las demás partidas del anexo II
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Descripción:
TRAN, GAN, 960-1215 MHZ, 100W, 5
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
Las demás:
Paquete:
En bruto
Serie:
LV
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
55-KR
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Tecnología de microchips
Frecuencia:
960 MHz ~ 1,215 GHz
Ganancias:
17.5 dB
Envase / estuche:
55-KR
Actual - prueba:
70 mA
Potencia - Producción:
110 W
Tecnología:
HEMT
Clasificación de corriente (amperios):
-
Introducción
Mosfet de RF 50 V 70 mA 960 MHz ~ 1,215 GHz 17,5 dB 110 W 55-KR
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: