El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.
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Descripción:
270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH. No se puede hacer más que con la ayuda de un equipo de seguridad.
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
Las demás:
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Gan, ¿ qué haces?
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
H-87265J-2
Voltaje - prueba:
Las demás:
El Sr.:
Wolfspeed, Inc.
Frecuencia:
2.62 GHz ~ 2.69 GHz
Ganancias:
17 dB
Envase / estuche:
H-87265J-2
Actual - prueba:
320 mA
Potencia - Producción:
270W
Tecnología:
HEMT
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
GTVA262701 y sus derivados
Introducción
Mosfet de RF 48 V 320 mA 2,62 GHz ~ 2,69 GHz 17 dB 270 W H-87265J-2
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: