BCR 196T E6327
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Descripción:
Trans Prebias PNP 250 MW SC75
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
70 mA
Estado del producto:
Descatalogado en Digi-Key
Tipo de transistor:
PNP - Prejuiciado
Frecuencia - Transición:
150 megaciclos
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un artículo de la Ley n.o 1.
Resistencia - Base (R1):
47 kOhms
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Resistencia - Base del emisor (R2):
22 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
100nA (ICBO)
Potencia - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
SC-75, SOT-416
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
50 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
En el caso de las entidades de crédito, el importe de las pérdidas se calcula de acuerdo con el méto
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) PNP - Pre-biasado 50 V 70 mA 150 MHz 250 mW Monte de superficie PG-SC-75
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
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Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: