Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
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Descripción:
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
65 V
Paquete:
la bandeja
Serie:
GOLDMOS®
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
H30260-2
Voltaje - prueba:
El número de unidades
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia:
2.68GHz
Ganancias:
13.5dB
Envase / estuche:
2 bolsas planas con plumas de aleta
Actual - prueba:
1,4 A
Potencia - Producción:
de energía de 130 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
10µA
Introducción
RF Mosfet 28 V 1.4 A 2.68GHz 13.5 dB 130W H-30260-2
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: