Se aplican las siguientes medidas:
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Descripción:
FET RF 110V 1,03 GHz NI-1230H
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado nominal:
Las demás:
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El NI-780S
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
Estados Unidos Inc.
Frecuencia:
1.03GHz
Ganancias:
19.7dB
Envase / estuche:
El NI-780S
Actual - prueba:
200 mA
Potencia - Producción:
500 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Introducción
Mosfet de RF 50 V 200 mA 1,03 GHz 19,7 dB 500 W NI-780S
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: