Las condiciones de los productos de la categoría 1 se aplicarán a los productos de las categorías 2 y 3 del presente anexo.
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Descripción:
Trans Prebias PNP 300 MW TO92-3
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de transistor:
PNP - Prejuiciado
Frecuencia - Transición:
200 MHz
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Resistencia - Base (R1):
4,7 kiloohmios
El Sr.:
En el caso de las
Resistencia - Base del emisor (R2):
47 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
100nA (ICBO)
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
68 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
FJN 431
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) PNP - Pre-biasado 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW a través del agujero TO-92-3
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: