Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
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Descripción:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de l
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
520 A
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo D-3
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 400A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
D3
El Sr.:
Corporación Microsemi
Temperatura de funcionamiento:
-
Corriente - límite del colector (máximo):
µA 500
Tipo de IGBT:
El TNP
Potencia - máximo:
w 1560
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
18 nF @ 25 V
Configuración:
Medio puente
El termistor NTC:
No es
Introducción
Modulo IGBT NPT Puente medio 600 V 520 A 1560 W Montura del chasis D3
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: